北京時間12月12日晚間消息，據國外媒體報道，三星電子將對其中國芯片工廠增加80億美元的投資，以促進NAND閃存芯片的生產。

　　三星的此次投資正值全球內存市場預計于明年反彈之際。據預計，由于供應有限，以及對5G設備和網絡需求的不斷上升，明年全球內存芯片市場將出現反彈。

　　三星是世界上最大的NAND閃存芯片制造商，NAND閃存芯片可以永久保存數據，普遍用于移動設備、存儲卡、USB閃存驅動器和固態(tài)驅動器中。

　　三星2017年曾宣布，未來三年將向生產NAND閃存芯片的西安工廠投資70億美元。在此之前，三星早些時候還向西安的一家檢測和包裝工廠投資了108億美元。

　　此次80億美元的投資是三星西安閃存芯片項目的二期的第二階段投資，之前的 108億美元為一期投資。二期項目總投資150億美元，第一階段投資約70億美元，第二階段為80億美元。

　　二期項目預計于2021年下半年竣工，建成后將新增產能每月13萬片，新增產值300億元。

　　三星在NAND閃存領域的競爭對手包括韓國的SK Hynix、美國的美光科技和日本的東芝公司。此外，幾家中國公司也曾試圖進入該市場。

　　今年9月，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。